Главная » 2014 » Август » 27 » Скачать Фильтры типов мод на экранированной микрополосковой линии. Светлов, Сергей Николаевич бесплатно
2:51 AM
Скачать Фильтры типов мод на экранированной микрополосковой линии. Светлов, Сергей Николаевич бесплатно
Фильтры типов мод на экранированной микрополосковой линии
Диссертация
Автор: Светлов, Сергей Николаевич
Название: Фильтры типов мод на экранированной микрополосковой линии
Справка: Светлов, Сергей Николаевич. Фильтры типов мод на экранированной микрополосковой линии : диссертация кандидата технических наук : 05.12.07 Нижний Новгород, 2005 207 c. : 61 06-5/1760
Объем: 207 стр.
Информация: Нижний Новгород, 2005
Содержание:
ВВЕДЕНИЕ
Глава I РАСЧЕТ ДИСНЕРСИОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК НЕСИММЕТРИЧНОЙ ЭМНЛ ВВЕДЕНИЕ ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ А Н А Л И З РЕЗУЛЬТАТОВ РАСЧЕТА Вывод
Глава II РАСЧЕТ ДИСИЕРСИОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭКРАНИРОВАННОЙ МИКРОНОЛОСКОВОЙ ЛИНИИ С ДВУХСЛОЙНОЙ НОДЛОЖКОЙ и РЕЗИСТИВНЫМ ВКЛЮЧЕНИЕМ МЕЖДУ СЛОЯМИ ВВЕДЕНИЕ ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ЭМПЛ с РЕЗИСТИВНЫМИ ПЛЕНКАМИ РАСЧЕТ И АНАЛИЗ ДИСПЕРСИОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК МЕЖДУ слоями ДВУХСЛОЙНОЙ подложки Вывод:
Глава III РАСЧЕТ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАРАМЕТРОВ ЭМНЛ С РАЗЛИЧНОЙ КОНФИГУРАЦИЕЙ РЕЗИСТИВНЫХ НЛЕНОК В НОДЛОЖКЕ ВВЕДЕНИЕ ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ АНАЛИЗ ЭЛЕМЕНТОВ S-МАТРИЦЫ БАЗОВОЙ ДВОЙНОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ ПАРАМЕТРАХ РЕЗИСТИВНОЙ ПЛЕНКИ Р А С Ч Е Т ОБОБЩЕННОЙ S-МАТРИЦЫ НЕРЕГУЛЯРНОЙ СТРУКТУРЫ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ 120 ЭМПЛ со сложной КОНФИГУРАЦИЕЙ РЕЗИСТИВНЫХ ПЛЕНОК В ПОДЛОЖКЕ Вывод
Глава IV ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАПИЕ ЭКРАНИРОВАННОЙ микрополосковой ЛИНИИ С ДВУХСЛОЙНОЙ п о д л о ж к о й и РЕЗИСТИВНЫМИ ПЛЕНКАМИ МЕЖДУ СЛОЯМИ ВВЕДЕНИЕ ПОСТАНОВКА ЭКСПЕРИМЕНТА АНАЛИЗ РЕЗУЛЬТАТОВ ИЗМЕРЕНИЙ Вывод
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ
Введение:
В современном мире наметилась устойчивая тенденция к увеличению объемов обрабатываемой и передаваемой информации, которая связана с многими факторами. Это появление различных мультимедийных средств, стремительное развитие цифровых технологий в области звука, фото, видео и телевидения, повсеместное внедрение вычислительной техники в повседневной жизни, в системах автоматизации различных промышленных циклов, либо всего процесса производства, и многое другое. Все это привело к тому, что разработчикам радиоэлектронной и вычислительной техники необходимо прикладывать большие усилия к созданию принципиально новых устройств, предназначенных для работы в области сверхвысоких, крайневысоких частот и оптическом диапазоне. Одновременно с развитием элементной базы СВЧ и КВЧ диапазонов все больше возникают требования по уменьшению массо-габаритных показателей. Поэтому в качестве базовых структур в диапазонах КВЧ и СВЧ широко используются полосковые, щелевые, копланарные открытые и экранированные линии, эффективное использование которых обусловлено их высокой надежностью, устойчивостью к разнообразным воздействиям, технологичностью и повторяемостью параметров. Перечисленные достоинства планарных линий передачи вызвали большой интерес исследователей к данному типу направляющих систем.Моделирование и теоретический расчет пассивных компонентов волноведущих структур являются важными предметами исследования в процессе проектирования и создания современной радиоэлектронной аппаратуры СВЧ и КВЧ диапазона [1-7]. Потребность в этом становится все более очевидной в последние годы из-за возрастания интереса к гибридным и монолитным интегральным схемам СВЧ и миллиметрового диапазона длин волн. Перестраивать и настраивать эти схемы, один раз изготовленные, очень дорого, следовательно, необходимы чрезвычайно точные методы расчета характеристик разрабатываемых функциональных узлов. В отечественной и зарубежной литературе имеется большое количество работ, посвященных как упрощенному инженерному расчету [8-10] планарных (микрополосковых, щелевых и др.) линий передачи, так и строгому электродинамическому исследованию этих направляющих систем [11,12]. В низком диапазоне частот хорошо проработаны аналитические методы расчета в одноволновом квази-Т приближении [13-16]. Поскольку, большинство структур, используемых интегральных диапазоне схемах невозможно рассчитать чрезвычайно необходима в современных во всем аналитически разработка частот, числеьпю- аналитических методов для определения их характеристик. Проектировщики предпочитают проектирования пока САПР использовать [17,18], пакеты в автоматизированного большинстве случаев которые основываются на приближенных формулах, полученных, как правило, путем аппроксимации эмпирических кривых [19]. Однако проверка правильности этих формул должна быть поддержана точными расчетами, основанными на строгих методах. Кроме того, любые численные методы расчета должны быть эффективными и достаточными по временньш требованиям и требованиям памяти центрального процессора, хотя недавние прогнозы в компьютерной области накладывают менее серьезные ограничения на эффективность и время счета. Другой важный аспект в разработке численных методов эксплуатационная гибкость метода. Все это стимулирует развертывание исследований в области создания функциональных СВЧузлов нового поколения. В современных микроэлектронных устройствах, построенных по планарной технологии, возникает проблема, связанная с возникновением паразитных волн высшего типа, возбуждаемых помещается СВЧ-модуль. Поскольку в корпусе, в который элементами СВЧ- базовыми микромодулей являются экранированные микрополосковые линии (ЭМПЛ), а подвод и отвод мощности к ним, в основном, осуществляется с помощью коаксиальных и волноводных трактов, возникает необходимость качественного согласования двух разных направляющих структур [20], [21]. При экспериментальном исследовании коаксиально-полосковых переходов [22] были замечены резкое ухудшение согласования и увеличение потерь, носящие резонансный характер в диапазоне частот близких к критическим частотам волн высшего типа в ЭМПЛ. Эффект уменьшения широкополосности функционального узла, выраженный увеличением КСВ и уровня потерь в верхнем диапазоне частот, объясняется влиянием «паразитных» волн высшего типа, возбуждаемых в экранирующем корпусе, и может быть ослаблен путем уменьшения геометрических размеров поперечного сечения корпуса ЭМПЛ. Но данная мера является компромиссной, т.к. улучшение электрических характеристик согласующего устройства путем уменьшения размеров, приводит к трудности размещения в корпусе ЭМПЛ активных элементов микросхем, а, следовательно, к ухудшению технологичности устройства, ремонтопригодности, удобства обслуживания и эксплуатации. Поэтому актуальной является задача улучшения электрических характеристик согласующих устройств без значительного уменьшения их размеров. В связи с этим, были предложены новые методы подавления волн высшего типа, связанные с использованием резистивных пленок в подложке [23],[24]. На рисунках 1 и 2 приведен общий вид предлагаемых направляющих структур. Суть методов подавления волн высшего типа в ЭМПЛ и, тем самым, расширения частотного диапазона устройств, построенных на основе ЭМПЛ, заключается во введении резистивных включений в те области, где электромагнитное поле волн высших типов имеет наибольшую интенсивность, а, следовательно, и наибольшее затухание и, в то же время, поле основной волны имеет наименьшую интенсивность, а, следовательно, и наименьшее затухание. При этом также, учитывается направление силовых линий электромагнитного поля основной волны и волн высшего типа, и возможные направления возникновения токов проводимости в резистивных включениях. Физический принцип действия устройств, приведенных на рисунках 1,2 следующий: Волны высших типов, имеющие поперечные составляющие магнитного поля большой интенсивности, вблизи боковых стенок микрополосковой линии возбуждают продольные токи проводимости в боковых продольных резистивных слоях (Рисунок 1), что и обеспечивает ф ослабление этих волн. В тоже время поперечная составляющая магнитного поля квази-Т волны имеет максимум под полоском, в центре волновода и, следовательно, не возбуждает токи проводимости в боковых резистивных пленках. Волны высших типов, имеющие продольные составляющие магнитного поля, возбуждают поперечные токи проводимости в узких поперечных резистивных пленках (Рисунок 2), что также обеспечивает их ослабление. Продольная же компонента магнитного поля квази-Т волны много меньше поперечных и, следовательно, такое покрытие почти не влияет на условия распространения основной волны. Избирательное подавление волн высшего типа в структурах резистивных возможно лишь при тщательно включений: геометрических предложенных параметрах значениях подобранных размерах и проводимости, иначе, устройство будет работать как аттенюатор. 8 Л- -.4 Рисунок 1 шшшштшт /s A A Д Д Д Д Д Д Д Д Д Д Л Д Д Д Д Д Д Д ,Л, Д Д А А Л Л л Рисунок 2 10